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NXP USA Inc. PHB11N06LT,118

Name: PHB11N06LT,118
Brand: NXP USA Inc.
SKU: PHB11N06LT,118
Availability: InStock
Rating: 4.6 (245 reviews)

MFG-Teilenummer: PHB11N06LT,118

verfügbare Anzahl: 49470 Stücke

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Hersteller: NXP USA Inc.

Kurze Beschreibung: TrenchMOS™ MOSFET N-CH 55V 10.3A D2PAK

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: PHB11N06LT,118.pdf

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PHB11N06LT,118 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	PHB11N06LT,118
Zukünftige Teilenummer	FT-PHB11N06LT,118
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	TrenchMOS™
PHB11N06LT,118 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	55V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	10.3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	130 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	5.2nC @ 5V
Vgs (Max)	±15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	330pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	33W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	D2PAK
Paket / fall	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PHB11N06LT,118 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	PHB11N06LT,118-FT

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