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Herstellerteilenummer | PHD36N03LT,118 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-PHD36N03LT,118 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchMOS™ |
PHD36N03LT,118 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 43.4A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 18.5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 690pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 57.6W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | DPAK |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PHD36N03LT,118 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | PHD36N03LT,118-FT |
BUK9E3R2-40B,127
NXP USA Inc.
BUK9E3R2-40E,127
NXP USA Inc.
BUK9E3R7-60E,127
NXP USA Inc.
BUK9E4R4-40B,127
NXP USA Inc.
BUK9E4R4-80E,127
NXP USA Inc.
BUK9E4R9-60E,127
NXP USA Inc.
BUK9E6R1-100E,127
NXP USA Inc.
BUK9E8R5-40E,127
NXP USA Inc.
PSMN013-100ES,127
Nexperia USA Inc.
PSMN1R5-40ES,127
Nexperia USA Inc.
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
M1AFS600-2FG256I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F40I3N
Intel
XCS05-3PC84C
Xilinx Inc.
XC2V4000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
AGL600V5-FGG144
Microsemi Corporation
EP3SL150F780C4LN
Intel
EPF10K30RC240-4N
Intel
EP1S60F1020C5N
Intel