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Herstellerteilenummer | PHD38N02LT,118 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-PHD38N02LT,118 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchMOS™ |
PHD38N02LT,118 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 44.7A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 25A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 15.1nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 800pF @ 20V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 57.6W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | DPAK |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PHD38N02LT,118 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | PHD38N02LT,118-FT |
BUK9E3R7-60E,127
NXP USA Inc.
BUK9E4R4-40B,127
NXP USA Inc.
BUK9E4R4-80E,127
NXP USA Inc.
BUK9E4R9-60E,127
NXP USA Inc.
BUK9E6R1-100E,127
NXP USA Inc.
BUK9E8R5-40E,127
NXP USA Inc.
PSMN013-100ES,127
Nexperia USA Inc.
PSMN1R5-40ES,127
Nexperia USA Inc.
PSMN3R3-80ES,127
Nexperia USA Inc.
PSMN3R5-80ES,127
Nexperia USA Inc.
LFXP6E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX16-N3FTG256C
Xilinx Inc.
AGLE3000V5-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C7N
Intel
10M50SCE144C8G
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C6
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EPF10K130EQC240-3N
Intel