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Nexperia USA Inc. PHKD3NQ10T,518
- MFG-Teilenummer
- PHKD3NQ10T,518
- verfügbare Anzahl
- 76360 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0
- Unser Preis
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Nexperia USA Inc.
- Kurze Beschreibung
- TrenchMOS™ MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- PHKD3NQ10T,518.pdf
PHKD3NQ10T,518 Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | PHKD3NQ10T,518 |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-PHKD3NQ10T,518 |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | TrenchMOS™ |
| PHKD3NQ10T,518 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Obsolete |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 3A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 1.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 633pF @ 20V |
| Leistung max | 2W |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| PHKD3NQ10T,518 Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | PHKD3NQ10T,518-FT |
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