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PHKD3NQ10T,518 Image

Nexperia USA Inc. PHKD3NQ10T,518

MFG-Teilenummer
PHKD3NQ10T,518
verfügbare Anzahl
76360 Stücke
Referenzpreis
USD 0
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Nexperia USA Inc.
Kurze Beschreibung
TrenchMOS™ MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
PHKD3NQ10T,518.pdf
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PHKD3NQ10T,518 Spezifikationen

Herstellerteilenummer PHKD3NQ10T,518
Zukünftige Teilenummer FT-PHKD3NQ10T,518
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie TrenchMOS™
PHKD3NQ10T,518 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Obsolete
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 633pF @ 20V
Leistung max 2W
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package 8-SO
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PHKD3NQ10T,518 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer PHKD3NQ10T,518-FT

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