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NXP USA Inc. PHM25NQ10T,518

Name: PHM25NQ10T,518
Brand: NXP USA Inc.
SKU: PHM25NQ10T,518
Availability: InStock
Rating: 4.6 (205 reviews)

MFG-Teilenummer: PHM25NQ10T,518

verfügbare Anzahl: 30990 Stücke

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Hersteller: NXP USA Inc.

Kurze Beschreibung: TrenchMOS™ MOSFET N-CH 100V 30.7A 8HVSON

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: PHM25NQ10T,518.pdf

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PHM25NQ10T,518 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	PHM25NQ10T,518
Zukünftige Teilenummer	FT-PHM25NQ10T,518
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	TrenchMOS™
PHM25NQ10T,518 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	30.7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	30 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	26.6nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1800pF @ 20V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	62.5W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	8-HVSON (6x5)
Paket / fall	8-VDFN Exposed Pad
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PHM25NQ10T,518 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	PHM25NQ10T,518-FT

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