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NXP USA Inc. PHT2NQ10T,135

Name: PHT2NQ10T,135
Brand: NXP USA Inc.
SKU: PHT2NQ10T,135
Availability: InStock
Rating: 4.7 (418 reviews)

MFG-Teilenummer: PHT2NQ10T,135

verfügbare Anzahl: 42330 Stücke

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Hersteller: NXP USA Inc.

Kurze Beschreibung: TrenchMOS™ MOSFET N-CH 100V 2.5A SOT223

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: PHT2NQ10T,135.pdf

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PHT2NQ10T,135 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	PHT2NQ10T,135
Zukünftige Teilenummer	FT-PHT2NQ10T,135
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	TrenchMOS™
PHT2NQ10T,135 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	2.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	430 mOhm @ 1.75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	5.1nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	160pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	6.25W (Tc)
Betriebstemperatur	-65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	SOT-223
Paket / fall	TO-261-4, TO-261AA
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PHT2NQ10T,135 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	PHT2NQ10T,135-FT

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