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NXP USA Inc. PMDPB38UNE,115

Name: PMDPB38UNE,115
Brand: NXP USA Inc.
SKU: PMDPB38UNE,115
Availability: InStock
Rating: 4.7 (91 reviews)

MFG-Teilenummer: PMDPB38UNE,115

verfügbare Anzahl: 58950 Stücke

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Hersteller: NXP USA Inc.

Kurze Beschreibung: - MOSFET 2N-CH 20V 4A HUSON6

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: PMDPB38UNE,115.pdf

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PMDPB38UNE,115 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	PMDPB38UNE,115
Zukünftige Teilenummer	FT-PMDPB38UNE,115
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
PMDPB38UNE,115 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	46 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	4.4nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	268pF @ 10V
Leistung max	510mW
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / fall	6-UDFN Exposed Pad
Supplier Device Package	DFN2020-6
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PMDPB38UNE,115 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	PMDPB38UNE,115-FT

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