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NXP USA Inc. PMDPB56XN,115
- MFG-Teilenummer
- PMDPB56XN,115
- verfügbare Anzahl
- 96070 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0
- Unser Preis
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- NXP USA Inc.
- Kurze Beschreibung
- - MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- PMDPB56XN,115.pdf
PMDPB56XN,115 Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | PMDPB56XN,115 |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-PMDPB56XN,115 |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | - |
| PMDPB56XN,115 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Obsolete |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 3.1A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 73 mOhm @ 3.1A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 2.9nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 170pF @ 15V |
| Leistung max | 510mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / fall | 6-UDFN Exposed Pad |
| Supplier Device Package | DFN2020-6 |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| PMDPB56XN,115 Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | PMDPB56XN,115-FT |
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