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Nexperia USA Inc. PMDXB600UNEZ
- MFG-Teilenummer
- PMDXB600UNEZ
- verfügbare Anzahl
- 62570 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0.16588
- Unser Preis
- Wir haben einen großen Rabatt, bitte kontaktieren Sie uns
- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Nexperia USA Inc.
- Kurze Beschreibung
- TrenchFET® MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- PMDXB600UNEZ.pdf
PMDXB600UNEZ Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | PMDXB600UNEZ |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-PMDXB600UNEZ |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | TrenchFET® |
| PMDXB600UNEZ Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 600mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 620 mOhm @ 600mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 0.7nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 21.3pF @ 10V |
| Leistung max | 265mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / fall | 6-XFDFN Exposed Pad |
| Supplier Device Package | DFN1010B-6 |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| PMDXB600UNEZ Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | PMDXB600UNEZ-FT |
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