Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / PMEG060V100EPDAZ
Herstellerteilenummer | PMEG060V100EPDAZ |
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Zukünftige Teilenummer | FT-PMEG060V100EPDAZ |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
PMEG060V100EPDAZ Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 60V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 10A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 560mV @ 10A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 16ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 700µA @ 60V |
Kapazität @ Vr, F | 350pF @ 10V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-277, 3-PowerDFN |
Supplier Device Package | CFP15 |
Betriebstemperatur - Übergang | 175°C (Max) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMEG060V100EPDAZ Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | PMEG060V100EPDAZ-FT |
BAS21,235
Nexperia USA Inc.
BAS40,235
Nexperia USA Inc.
BAT54,235
Nexperia USA Inc.
BAT720,235
Nexperia USA Inc.
PMBD914,235
Nexperia USA Inc.
BAL99,215
Nexperia USA Inc.
BAS40,215
Nexperia USA Inc.
BAT754,215
Nexperia USA Inc.
BAL74,215
Nexperia USA Inc.
BAS101,215
Nexperia USA Inc.
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel