Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / PMEG100V080ELPDAZ
Herstellerteilenummer | PMEG100V080ELPDAZ |
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Zukünftige Teilenummer | FT-PMEG100V080ELPDAZ |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
PMEG100V080ELPDAZ Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 8A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 850mV @ 8A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 10ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 1µA @ 100V |
Kapazität @ Vr, F | 110pF @ 10V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-277, 3-PowerDFN |
Supplier Device Package | CFP15 |
Betriebstemperatur - Übergang | 175°C (Max) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMEG100V080ELPDAZ Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | PMEG100V080ELPDAZ-FT |
1PS70SB40,115
Nexperia USA Inc.
BAS16WF
Nexperia USA Inc.
BAS21W,115
Nexperia USA Inc.
BAS40-06WF
Nexperia USA Inc.
BAS40W,115
Nexperia USA Inc.
BAS70W,115
Nexperia USA Inc.
BAT54W,135
Nexperia USA Inc.
BAS16,215
Nexperia USA Inc.
PMEG4005ET,215
Nexperia USA Inc.
PMEG4010ET,215
Nexperia USA Inc.
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel