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NXP USA Inc. PMR780SN,115
- MFG-Teilenummer
- PMR780SN,115
- verfügbare Anzahl
- 30420 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0
- Unser Preis
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- NXP USA Inc.
- Kurze Beschreibung
- TrenchMOS™ MOSFET N-CH 60V 0.55A SOT416
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- PMR780SN,115.pdf
PMR780SN,115 Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | PMR780SN,115 |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-PMR780SN,115 |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | TrenchMOS™ |
| PMR780SN,115 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Obsolete |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 550mA (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 920 mOhm @ 300mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 1.05nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 23pF @ 30V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 530mW (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Supplier Device Package | SC-75 |
| Paket / fall | SC-75, SOT-416 |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| PMR780SN,115 Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | PMR780SN,115-FT |
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