Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / PMXB120EPEZ
Herstellerteilenummer | PMXB120EPEZ |
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Zukünftige Teilenummer | FT-PMXB120EPEZ |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
PMXB120EPEZ Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 2.4A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 2.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 309pF @ 15V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 400mW (Ta), 8.3W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | DFN1010D-3 |
Paket / fall | 3-XDFN Exposed Pad |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMXB120EPEZ Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | PMXB120EPEZ-FT |
BSH205,215
NXP USA Inc.
PMV117EN,215
NXP USA Inc.
PMV16UN,215
NXP USA Inc.
PMV170UN,215
NXP USA Inc.
PMV185XN,215
NXP USA Inc.
PMV20XN,215
NXP USA Inc.
PMV22EN,215
NXP USA Inc.
PMV28UN,215
NXP USA Inc.
PMV30UN,215
NXP USA Inc.
PMV30XN,215
NXP USA Inc.
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
Intel
5SGXMA7K3F40C3
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
Intel