Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / PMXB120EPEZ
Herstellerteilenummer | PMXB120EPEZ |
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Zukünftige Teilenummer | FT-PMXB120EPEZ |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
PMXB120EPEZ Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 2.4A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 2.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 309pF @ 15V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 400mW (Ta), 8.3W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | DFN1010D-3 |
Paket / fall | 3-XDFN Exposed Pad |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMXB120EPEZ Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | PMXB120EPEZ-FT |
BSH205,215
NXP USA Inc.
PMV117EN,215
NXP USA Inc.
PMV16UN,215
NXP USA Inc.
PMV170UN,215
NXP USA Inc.
PMV185XN,215
NXP USA Inc.
PMV20XN,215
NXP USA Inc.
PMV22EN,215
NXP USA Inc.
PMV28UN,215
NXP USA Inc.
PMV30UN,215
NXP USA Inc.
PMV30XN,215
NXP USA Inc.
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel