Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / PMXB120EPEZ
Herstellerteilenummer | PMXB120EPEZ |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-PMXB120EPEZ |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
PMXB120EPEZ Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 2.4A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 2.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 309pF @ 15V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 400mW (Ta), 8.3W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | DFN1010D-3 |
Paket / fall | 3-XDFN Exposed Pad |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMXB120EPEZ Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | PMXB120EPEZ-FT |
BSH205,215
NXP USA Inc.
PMV117EN,215
NXP USA Inc.
PMV16UN,215
NXP USA Inc.
PMV170UN,215
NXP USA Inc.
PMV185XN,215
NXP USA Inc.
PMV20XN,215
NXP USA Inc.
PMV22EN,215
NXP USA Inc.
PMV28UN,215
NXP USA Inc.
PMV30UN,215
NXP USA Inc.
PMV30XN,215
NXP USA Inc.