Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / PMXB350UPEZ
Herstellerteilenummer | PMXB350UPEZ |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-PMXB350UPEZ |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
PMXB350UPEZ Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 1.2A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 447 mOhm @ 1.2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 2.3nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 116pF @ 10V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 360mW (Ta), 5.68W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | DFN1010D-3 |
Paket / fall | 3-XDFN Exposed Pad |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMXB350UPEZ Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | PMXB350UPEZ-FT |
PMV117EN,215
NXP USA Inc.
PMV16UN,215
NXP USA Inc.
PMV170UN,215
NXP USA Inc.
PMV185XN,215
NXP USA Inc.
PMV20XN,215
NXP USA Inc.
PMV22EN,215
NXP USA Inc.
PMV28UN,215
NXP USA Inc.
PMV30UN,215
NXP USA Inc.
PMV30XN,215
NXP USA Inc.
PMV31XN,215
NXP USA Inc.