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Nexperia USA Inc. PMXB360ENEAZ
- MFG-Teilenummer
- PMXB360ENEAZ
- verfügbare Anzahl
- 75470 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0.101664
- Unser Preis
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Nexperia USA Inc.
- Kurze Beschreibung
- - MOSFET N-CH 80V 1.1A 3DFN
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- PMXB360ENEAZ.pdf
PMXB360ENEAZ Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | PMXB360ENEAZ |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-PMXB360ENEAZ |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | - |
| PMXB360ENEAZ Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 80V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 1.1A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450 mOhm @ 1.1A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.7V @ 250µA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 4.5nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 130pF @ 40V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 400mW (Ta), 6.25W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Supplier Device Package | DFN1010D-3 |
| Paket / fall | 3-XDFN Exposed Pad |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| PMXB360ENEAZ Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | PMXB360ENEAZ-FT |
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