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Nexperia USA Inc. PMXB360ENEAZ

Name: PMXB360ENEAZ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: PMXB360ENEAZ
Price: 0.101664 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (57 reviews)

MFG-Teilenummer: PMXB360ENEAZ

verfügbare Anzahl: 75470 Stücke

Referenzpreis: USD 0.101664

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Hersteller: Nexperia USA Inc.

Kurze Beschreibung: - MOSFET N-CH 80V 1.1A 3DFN

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: PMXB360ENEAZ.pdf

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PMXB360ENEAZ Spezifikationen

Herstellerteilenummer	PMXB360ENEAZ
Zukünftige Teilenummer	FT-PMXB360ENEAZ
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
PMXB360ENEAZ Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	80V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	1.1A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	450 mOhm @ 1.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.7V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	4.5nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	130pF @ 40V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	400mW (Ta), 6.25W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	DFN1010D-3
Paket / fall	3-XDFN Exposed Pad
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PMXB360ENEAZ Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	PMXB360ENEAZ-FT

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