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Herstellerteilenummer | PMZB350UPE,315 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-PMZB350UPE,315 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
PMZB350UPE,315 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 1A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450 mOhm @ 300mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 1.9nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 127pF @ 10V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 360mW (Ta), 3.125W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | DFN1006B-3 |
Paket / fall | 3-XFDFN |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMZB350UPE,315 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | PMZB350UPE,315-FT |
PSMN005-30K,518
Nexperia USA Inc.
PSMN006-20K,518
Nexperia USA Inc.
PSMN038-100K,518
Nexperia USA Inc.
PSMN085-150K,518
Nexperia USA Inc.
PSMN165-200K,518
Nexperia USA Inc.
SI4410DY,518
NXP USA Inc.
SI4420DY,518
NXP USA Inc.
SI4800,518
NXP USA Inc.
SI9410DY,518
NXP USA Inc.
PHU101NQ03LT,127
NXP USA Inc.
A1020B-2VQ80I
Microsemi Corporation
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
5SGXMB6R2F40I2N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP2AGX125DF25I3N
Intel
XC5VLX110-3FFG1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
Intel
EP4SGX230HF35I4N
Intel