Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / PMZB550UNEYL
Herstellerteilenummer | PMZB550UNEYL |
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Zukünftige Teilenummer | FT-PMZB550UNEYL |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
PMZB550UNEYL Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 590mA (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 670 mOhm @ 590mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 1.1nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 30.3pF @ 15V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 310mW (Ta), 1.67W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | DFN1006B-3 |
Paket / fall | 3-XFDFN |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMZB550UNEYL Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | PMZB550UNEYL-FT |
PSMN006-20K,518
Nexperia USA Inc.
PSMN038-100K,518
Nexperia USA Inc.
PSMN085-150K,518
Nexperia USA Inc.
PSMN165-200K,518
Nexperia USA Inc.
SI4410DY,518
NXP USA Inc.
SI4420DY,518
NXP USA Inc.
SI4800,518
NXP USA Inc.
SI9410DY,518
NXP USA Inc.
PHU101NQ03LT,127
NXP USA Inc.
PHU108NQ03LT,127
NXP USA Inc.
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
Intel
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
Intel
EP1C6Q240C7N
Intel
EP1K100QC208-1GZ
Intel