Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt / PRMD10Z
Herstellerteilenummer | PRMD10Z |
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Zukünftige Teilenummer | FT-PRMD10Z |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
PRMD10Z Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 2.2 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 100mV @ 250µA, 5mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA |
Frequenz - Übergang | 230MHz |
Leistung max | 480mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 6-XFDFN Exposed Pad |
Supplier Device Package | DFN1412-6 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PRMD10Z Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | PRMD10Z-FT |
DDC144TH-7-F
Diodes Incorporated
DCX100NS-7
Diodes Incorporated
DDA143TH-7
Diodes Incorporated
DDC142TH-7
Diodes Incorporated
EMF21-7
Diodes Incorporated
DCX143TK-7-F
Diodes Incorporated
DCX115EK-7-F
Diodes Incorporated
DCX144EK-7-F
Diodes Incorporated
DIMD10A-7
Diodes Incorporated
DCX124EK-7-F
Diodes Incorporated
LFE2-6E-5T144I
Lattice Semiconductor Corporation
M1A3P600-1FG484
Microsemi Corporation
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
EP4CE75F23C7
Intel
5SEE9H40C4N
Intel
XC4044XL-1HQ208I
Xilinx Inc.
XC4VFX20-10FF672C
Xilinx Inc.
5CGXFC5C6F23I7N
Intel
EP20K160EQC240-2
Intel
EP4SGX230FF35C4N
Intel