Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt / PRMD3Z
Herstellerteilenummer | PRMD3Z |
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Zukünftige Teilenummer | FT-PRMD3Z |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
PRMD3Z Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 10 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1µA |
Frequenz - Übergang | 230MHz |
Leistung max | 480mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 6-XFDFN Exposed Pad |
Supplier Device Package | DFN1412-6 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PRMD3Z Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | PRMD3Z-FT |
EMF21-7
Diodes Incorporated
DCX143TK-7-F
Diodes Incorporated
DCX115EK-7-F
Diodes Incorporated
DCX144EK-7-F
Diodes Incorporated
DIMD10A-7
Diodes Incorporated
DCX124EK-7-F
Diodes Incorporated
DCX114TK-7-F
Diodes Incorporated
DCX114EK-7-F
Diodes Incorporated
DCX114YK-7-F
Diodes Incorporated
DCX123JK-7-F
Diodes Incorporated
LCMXO1200C-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
AX125-FG256
Microsemi Corporation
5CGXFC9D6F27C7N
Intel
5SGXEA7N2F40C1
Intel
5SGXEA7H1F35I2N
Intel
XC5VLX50T-1FF665C
Xilinx Inc.
XC7K355T-1FF901I
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA5M13C8N
Intel
EP2A40F1020C8
Intel