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NXP USA Inc. PSMN023-80LS,115

Name: PSMN023-80LS,115
Brand: NXP USA Inc.
SKU: PSMN023-80LS,115
Availability: InStock
Rating: 5.0 (89 reviews)

MFG-Teilenummer: PSMN023-80LS,115

verfügbare Anzahl: 25550 Stücke

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Hersteller: NXP USA Inc.

Kurze Beschreibung: - MOSFET N-CH 80V 34A QFN3333

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: PSMN023-80LS,115.pdf

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PSMN023-80LS,115 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	PSMN023-80LS,115
Zukünftige Teilenummer	FT-PSMN023-80LS,115
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
PSMN023-80LS,115 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	80V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	34A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	23 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	21nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1295pF @ 40V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	65W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	8-DFN3333 (3.3x3.3)
Paket / fall	8-VDFN Exposed Pad
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PSMN023-80LS,115 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	PSMN023-80LS,115-FT

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