Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / PSMN1R6-30PL,127
Herstellerteilenummer | PSMN1R6-30PL,127 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-PSMN1R6-30PL,127 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
PSMN1R6-30PL,127 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 100A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.15V @ 1mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 212nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 12493pF @ 12V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 306W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Paket / fall | TO-220-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PSMN1R6-30PL,127 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | PSMN1R6-30PL,127-FT |
IRFIZ34NPBF
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10CL010ZU256I8G
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A54SX32A-1TQ100I
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APA075-FGG144
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10AX066N2F40I2SGES
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EPF10K50VBC356-2N
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EPF10K50VBI356-4
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