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Nexperia USA Inc. PSMN2R0-30YL,115
- MFG-Teilenummer
- PSMN2R0-30YL,115
- verfügbare Anzahl
- 95900 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0.3828
- Unser Preis
- Wir haben einen großen Rabatt, bitte kontaktieren Sie uns
- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Nexperia USA Inc.
- Kurze Beschreibung
- TrenchMOS™ MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- PSMN2R0-30YL,115.pdf
PSMN2R0-30YL,115 Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | PSMN2R0-30YL,115 |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-PSMN2R0-30YL,115 |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | TrenchMOS™ |
| PSMN2R0-30YL,115 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 100A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.15V @ 1mA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 64nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3980pF @ 12V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 97W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Supplier Device Package | LFPAK56, Power-SO8 |
| Paket / fall | SC-100, SOT-669 |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| PSMN2R0-30YL,115 Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | PSMN2R0-30YL,115-FT |
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