Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / PSMN2R6-40YS,115
Herstellerteilenummer | PSMN2R6-40YS,115 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-PSMN2R6-40YS,115 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
PSMN2R6-40YS,115 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 100A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 63nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3776pF @ 12V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 131W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | LFPAK56, Power-SO8 |
Paket / fall | SC-100, SOT-669 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PSMN2R6-40YS,115 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | PSMN2R6-40YS,115-FT |
PMV30UN,215
NXP USA Inc.
PMV30XN,215
NXP USA Inc.
PMV31XN,215
NXP USA Inc.
PMV37EN,215
NXP USA Inc.
PMV40UN,215
NXP USA Inc.
PMV45EN,215
NXP USA Inc.
PMV56XN,215
NXP USA Inc.
PMV60EN,215
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PMV65UN,215
NXP USA Inc.
PMV90EN,215
NXP USA Inc.
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Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
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Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
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Intel
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