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Herstellerteilenummer | PSMN2R6-60PSQ |
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Zukünftige Teilenummer | FT-PSMN2R6-60PSQ |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
PSMN2R6-60PSQ Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 150A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 140nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7629pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 326W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Paket / fall | TO-220-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PSMN2R6-60PSQ Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | PSMN2R6-60PSQ-FT |
FDWS86068-F085
ON Semiconductor
FDPF33N25TRDTU
ON Semiconductor
FDPF51N25RDTU
ON Semiconductor
FDPF44N25TRDTU
ON Semiconductor
FDPF5N50TYDTU
ON Semiconductor
MTY100N10E
ON Semiconductor
NTY100N10
ON Semiconductor
NTY100N10G
ON Semiconductor
PH1225AL,115
Nexperia USA Inc.
PH1330AL,115
Nexperia USA Inc.
A54SX32-TQG144I
Microsemi Corporation
XC4013XL-09PQ208C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-1FGG256I
Microsemi Corporation
LFE5UM5G-45F-8BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SE260H780I4LN
Intel
AGLP060V5-CS289
Microsemi Corporation
A54SX32A-2TQG100I
Microsemi Corporation
10AX090N4F40E3SG
Intel
10AX115N3F40I3SGES
Intel