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NXP USA Inc. PSMN8R5-108ESQ

Name: PSMN8R5-108ESQ
Brand: NXP USA Inc.
SKU: PSMN8R5-108ESQ
Availability: InStock
Rating: 4.6 (714 reviews)

MFG-Teilenummer: PSMN8R5-108ESQ

verfügbare Anzahl: 25400 Stücke

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Hersteller: NXP USA Inc.

Kurze Beschreibung: - MOSFET N-CH 108V 100A I2PAK

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: PSMN8R5-108ESQ.pdf

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PSMN8R5-108ESQ Spezifikationen

Herstellerteilenummer	PSMN8R5-108ESQ
Zukünftige Teilenummer	FT-PSMN8R5-108ESQ
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
PSMN8R5-108ESQ Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	108V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	100A (Tj)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.5 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	111nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	5512pF @ 50V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	263W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	I2PAK
Paket / fall	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PSMN8R5-108ESQ Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	PSMN8R5-108ESQ-FT

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