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NXP USA Inc. PSMN8R5-108ESQ
- MFG-Teilenummer
- PSMN8R5-108ESQ
- verfügbare Anzahl
- 25400 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0
- Unser Preis
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- NXP USA Inc.
- Kurze Beschreibung
- - MOSFET N-CH 108V 100A I2PAK
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- PSMN8R5-108ESQ.pdf
PSMN8R5-108ESQ Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | PSMN8R5-108ESQ |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-PSMN8R5-108ESQ |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | - |
| PSMN8R5-108ESQ Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Obsolete |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 108V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 100A (Tj) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5 mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 111nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5512pF @ 50V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 263W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Supplier Device Package | I2PAK |
| Paket / fall | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| PSMN8R5-108ESQ Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | PSMN8R5-108ESQ-FT |
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