Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / PSMN8R9-100BSEJ
Herstellerteilenummer | PSMN8R9-100BSEJ |
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Zukünftige Teilenummer | FT-PSMN8R9-100BSEJ |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
PSMN8R9-100BSEJ Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 108A |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 128nC @ 10V |
Vgs (Max) | - |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7.11nF @ 10V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 296W |
Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | D2PAK |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PSMN8R9-100BSEJ Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | PSMN8R9-100BSEJ-FT |
NP90N04NUK-S18-AY
Renesas Electronics America
NP90N055MUK-S18-AY
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NTMFS4833NST3G
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XC2VP4-6FGG256C
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XC4052XL-3HQ304C
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M1A3P600-1FGG484
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A42MX36-PQ208I
Microsemi Corporation
M2GL090TS-1FGG676I
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LFEC10E-4QN208I
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EP1K100QC208-3N
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EP4SGX180FF35C2XN
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EP1SGX25DF1020C6
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