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PTAB182002TCV2R250XTMA1 Image

Infineon Technologies PTAB182002TCV2R250XTMA1

MFG-Teilenummer
PTAB182002TCV2R250XTMA1
verfügbare Anzahl
35260 Stücke
Referenzpreis
USD 0
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
- IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - HF
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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PTAB182002TCV2R250XTMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer PTAB182002TCV2R250XTMA1
Zukünftige Teilenummer FT-PTAB182002TCV2R250XTMA1
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
PTAB182002TCV2R250XTMA1 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Obsolete
Transistortyp LDMOS
Frequenz 1.805GHz ~ 1.88GHz
Gewinnen 14.8dB
Spannungs - Test 28V
Aktuelle Bewertung 10µA
Rauschzahl -
Aktueller Test 520mA
Leistung 29W
Spannung - bewertet 65V
Paket / fall H-49248H-4
Supplier Device Package H-49248H-4
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PTAB182002TCV2R250XTMA1 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer PTAB182002TCV2R250XTMA1-FT

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