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Herstellerteilenummer | PTF080101M V1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-PTF080101M V1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | GOLDMOS® |
PTF080101M V1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
Transistortyp | LDMOS |
Frequenz | 960MHz |
Gewinnen | 16dB |
Spannungs - Test | 28V |
Aktuelle Bewertung | 1µA |
Rauschzahl | - |
Aktueller Test | 180mA |
Leistung | 10W |
Spannung - bewertet | 65V |
Paket / fall | 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
Supplier Device Package | PG-RFP-10 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PTF080101M V1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | PTF080101M V1-FT |
BF1102R,115
NXP USA Inc.
BF1102R,135
NXP USA Inc.
BF1203,115
NXP USA Inc.
BF1204,115
NXP USA Inc.
BF1204,135
NXP USA Inc.
BF1205,115
NXP USA Inc.
BF1205,135
NXP USA Inc.
BF1205C,115
NXP USA Inc.
BF1206,115
NXP USA Inc.
BF1207,115
NXP USA Inc.
XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2FG484
Microsemi Corporation
5SGXEA5N2F45C3N
Intel
XC4010XL-2BG256C
Xilinx Inc.
XC4VLX40-10FFG1148I
Xilinx Inc.
LFEC6E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX90FF1508I4N
Intel
EP3C120F780C7N
Intel
EP4CE40F29I7
Intel
EP1S30F780I6N
Intel