Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Arrays / QRD1230R30
Herstellerteilenummer | QRD1230R30 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-QRD1230R30 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
QRD1230R30 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Series Connection |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1200V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 210A (DC) |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 3.5V @ 210A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 150ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 1mA @ 1200V |
Betriebstemperatur - Übergang | -40°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / fall | Module |
Supplier Device Package | Module |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
QRD1230R30 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | QRD1230R30-FT |
MSAD36-12
Microsemi Corporation
MSAD36-16
Microsemi Corporation
MSAD36-18
Microsemi Corporation
MSAD60-08
Microsemi Corporation
MSAD60-12
Microsemi Corporation
MSAD60-16
Microsemi Corporation
MSAD60-18
Microsemi Corporation
MSAD70-08
Microsemi Corporation
MSAD70-12
Microsemi Corporation
MSAD70-16
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-1TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4005E-4PQ208I
Xilinx Inc.
M2GL090-1FCSG325I
Microsemi Corporation
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-2PQG208
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49CTR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE75F23I7
Intel
EP2SGX60EF1152I4N
Intel
A3P250-1FGG144T
Microsemi Corporation
EP1AGX35DF780C6N
Intel