Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Arrays / QRD3310001
Herstellerteilenummer | QRD3310001 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-QRD3310001 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
QRD3310001 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Series Connection |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 3300V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 127A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 4.3V @ 100A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 1.2µs |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5mA @ 3300V |
Betriebstemperatur - Übergang | - |
Befestigungsart | Screw Mount |
Paket / fall | Module |
Supplier Device Package | Module |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
QRD3310001 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | QRD3310001-FT |
MSAD60-16
Microsemi Corporation
MSAD60-18
Microsemi Corporation
MSAD70-08
Microsemi Corporation
MSAD70-12
Microsemi Corporation
MSAD70-16
Microsemi Corporation
MSAD70-18
Microsemi Corporation
MSCD100-18
Microsemi Corporation
MSCD120-18
Microsemi Corporation
MSCD165-18
Microsemi Corporation
MSCD200-18
Microsemi Corporation
AX1000-FGG484
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA7N3F40I3LN
Intel
5SGXMB6R1F40I2N
Intel
EP2AGX95DF25C4N
Intel
EP4SGX530KH40C4N
Intel
XC5VLX50T-1FFG1136C
Xilinx Inc.
LFXP2-5E-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F45I2SGE2
Intel
EP1S10F780C5
Intel