Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays / QS6J11TR
Herstellerteilenummer | QS6J11TR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-QS6J11TR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
QS6J11TR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | 2 P-Channel (Dual) |
FET-Funktion | Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 12V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 2A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105 mOhm @ 2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 6.5nC @ 4.5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 770pF @ 6V |
Leistung max | 600mW |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Supplier Device Package | TSMT6 (SC-95) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
QS6J11TR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | QS6J11TR-FT |
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