Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays / QS8J11TCR
Herstellerteilenummer | QS8J11TCR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-QS8J11TCR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
QS8J11TCR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Not For New Designs |
FET-Typ | 2 P-Channel (Dual) |
FET-Funktion | Logic Level Gate, 1.5V Drive |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 12V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 3.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 43 mOhm @ 3.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 4.5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2600pF @ 6V |
Leistung max | 550mW |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 8-SMD, Flat Lead |
Supplier Device Package | TSMT8 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
QS8J11TCR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | QS8J11TCR-FT |
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LCMXO640E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K05AL-1AQC
Microchip Technology
5SGSMD5H3F35I4
Intel
XC6SLX16-N3CSG324C
Xilinx Inc.
A3P1000-1FGG144
Microsemi Corporation
5CGTFD7C5U19C7N
Intel
EP2AGX260EF29C5
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