Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / R6007ENX
Herstellerteilenummer | R6007ENX |
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Zukünftige Teilenummer | FT-R6007ENX |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
R6007ENX Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 7A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 620 mOhm @ 2.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 390pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 40W (Tc) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-220FM |
Paket / fall | TO-220-3 Full Pack |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R6007ENX Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | R6007ENX-FT |
IRFI1310NPBF
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R6008ANX
Rohm Semiconductor
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Microsemi Corporation
M2GL025S-1VF400I
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A10V20B-PL68C
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Intel
XC4028XL-09HQ208C
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FFG672C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE80F780C4
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel