Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / R6009ENJTL
Herstellerteilenummer | R6009ENJTL |
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Zukünftige Teilenummer | FT-R6009ENJTL |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
R6009ENJTL Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 9A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 535 mOhm @ 2.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 430pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 40W (Tc) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | LPTS (D2PAK) |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R6009ENJTL Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | R6009ENJTL-FT |
R6015KNZC8
Rohm Semiconductor
R6035ENZC8
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