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Rohm Semiconductor R6009ENJTL
- MFG-Teilenummer
- R6009ENJTL
- verfügbare Anzahl
- 23970 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0.9628
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Rohm Semiconductor
- Kurze Beschreibung
- - MOSFET N-CH 600V 9A LPT
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- R6009ENJTL.pdf
R6009ENJTL Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | R6009ENJTL |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-R6009ENJTL |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | - |
| R6009ENJTL Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 9A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 535 mOhm @ 2.8A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 430pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 40W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Supplier Device Package | LPTS (D2PAK) |
| Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| R6009ENJTL Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | R6009ENJTL-FT |
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