Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / R6010630XXYA
Herstellerteilenummer | R6010630XXYA |
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Zukünftige Teilenummer | FT-R6010630XXYA |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
R6010630XXYA Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard, Reverse Polarity |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 600V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 300A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | - |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 13µs |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 50mA @ 600V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Stud Mount |
Paket / fall | DO-205AB, DO-9, Stud |
Supplier Device Package | DO-205AB, DO-9 |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R6010630XXYA Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | R6010630XXYA-FT |
HER602G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER602G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER603G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER603G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER603G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER604G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER604G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER604G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER605G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER605G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel