Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / R6030625HSYA
Herstellerteilenummer | R6030625HSYA |
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Zukünftige Teilenummer | FT-R6030625HSYA |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
R6030625HSYA Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard, Reverse Polarity |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 600V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 250A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 2V @ 800A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 1µs |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 50mA @ 600V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Chassis, Stud Mount |
Paket / fall | DO-205AB, DO-9, Stud |
Supplier Device Package | DO-205AB, DO-9 |
Betriebstemperatur - Übergang | -45°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R6030625HSYA Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | R6030625HSYA-FT |
JANTX1N5554
Microsemi Corporation
JANTX1N5616
Microsemi Corporation
JANTX1N5618US
Microsemi Corporation
JANTX1N5619US
Microsemi Corporation
JANTX1N5620
Microsemi Corporation
JANTX1N5620US
Microsemi Corporation
JANTX1N5622
Microsemi Corporation
JANTX1N5622US
Microsemi Corporation
JANTX1N5623US
Microsemi Corporation
JANTX1N5804
Microsemi Corporation
XCS40XL-5PQG208C
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XC7A15T-1FGG484I
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A3PE3000-FG484
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LCMXO1200E-3FTN256I
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A42MX16-1VQ100M
Microsemi Corporation
5SGSMD4K3F40I3N
Intel
5SGSED6N2F45C2N
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EP2SGX90EF1152C3ES
Intel
LFE2M100SE-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB7D4F35C4N
Intel