Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / R6030835ESYA
Herstellerteilenummer | R6030835ESYA |
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Zukünftige Teilenummer | FT-R6030835ESYA |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
R6030835ESYA Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard, Reverse Polarity |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 800V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 350A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 800A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 2µs |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 50mA @ 800V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Chassis, Stud Mount |
Paket / fall | DO-205AB, DO-9, Stud |
Supplier Device Package | DO-205AB, DO-9 |
Betriebstemperatur - Übergang | -45°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R6030835ESYA Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | R6030835ESYA-FT |
JANTX1N5620
Microsemi Corporation
JANTX1N5620US
Microsemi Corporation
JANTX1N5622
Microsemi Corporation
JANTX1N5622US
Microsemi Corporation
JANTX1N5623US
Microsemi Corporation
JANTX1N5804
Microsemi Corporation
JANTX1N5807
Microsemi Corporation
JANTX1N5807US
Microsemi Corporation
JANTX1N5809
Microsemi Corporation
JANTX1N5809US
Microsemi Corporation
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
AGLN125V5-ZCSG81I
Microsemi Corporation
AGL400V5-FGG484
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8N
Intel
10CL055YU484C8G
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EP4SGX230KF40C3N
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5SGSMD4E3H29I3LN
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Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N3F45E2LG
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