Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / R6030835ESYA
Herstellerteilenummer | R6030835ESYA |
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Zukünftige Teilenummer | FT-R6030835ESYA |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
R6030835ESYA Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard, Reverse Polarity |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 800V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 350A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 800A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 2µs |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 50mA @ 800V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Chassis, Stud Mount |
Paket / fall | DO-205AB, DO-9, Stud |
Supplier Device Package | DO-205AB, DO-9 |
Betriebstemperatur - Übergang | -45°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R6030835ESYA Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | R6030835ESYA-FT |
JANTX1N5620
Microsemi Corporation
JANTX1N5620US
Microsemi Corporation
JANTX1N5622
Microsemi Corporation
JANTX1N5622US
Microsemi Corporation
JANTX1N5623US
Microsemi Corporation
JANTX1N5804
Microsemi Corporation
JANTX1N5807
Microsemi Corporation
JANTX1N5807US
Microsemi Corporation
JANTX1N5809
Microsemi Corporation
JANTX1N5809US
Microsemi Corporation
XCS20XL-4TQG144I
Xilinx Inc.
XC7S50-1FGGA484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-1FG144
Microsemi Corporation
AGLE600V5-FG256
Microsemi Corporation
ICE40HX4K-BG121
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000EFC672-1
Intel
EP3C25U256C7
Intel
5SGSMD5H2F35I2LN
Intel
A1020B-PL44C
Microsemi Corporation
LFE2M35E-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation