Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / R6031435ESYA
Herstellerteilenummer | R6031435ESYA |
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Zukünftige Teilenummer | FT-R6031435ESYA |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
R6031435ESYA Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard, Reverse Polarity |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1400V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 350A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 800A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 2µs |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 50mA @ 1400V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Chassis, Stud Mount |
Paket / fall | DO-205AB, DO-9, Stud |
Supplier Device Package | DO-205AB, DO-9 |
Betriebstemperatur - Übergang | -45°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R6031435ESYA Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | R6031435ESYA-FT |
JANTX1N5809
Microsemi Corporation
JANTX1N5809US
Microsemi Corporation
JANTX1N6074
Microsemi Corporation
JANTXV1N6638
Microsemi Corporation
JANTXV1N6639
Microsemi Corporation
JANTXV1N6639US
Microsemi Corporation
JANTXV1N6641
Microsemi Corporation
JANTXV1N6641US
Microsemi Corporation
JANTXV1N6642
Microsemi Corporation
JANTXV1N6642U
Microsemi Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel