Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / R6046FNZ1C9
Herstellerteilenummer | R6046FNZ1C9 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-R6046FNZ1C9 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
R6046FNZ1C9 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Not For New Designs |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 46A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 98 mOhm @ 23A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 150nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6230pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 120W (Tc) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-247 |
Paket / fall | TO-247-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R6046FNZ1C9 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | R6046FNZ1C9-FT |
ATP107-TL-H
ON Semiconductor
ATP201-TL-H
ON Semiconductor
ATP201-V-TL-H
ON Semiconductor
ATP203-TL-H
ON Semiconductor
ATP204-TL-H
ON Semiconductor
ATP206-TL-H
ON Semiconductor
ATP207-S-TL-H
ON Semiconductor
ATP207-TL-H
ON Semiconductor
ATP208-TL-H
ON Semiconductor
ATP212-S-TL-H
ON Semiconductor
XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2PQ208
Microsemi Corporation
M2GL050-VFG400I
Microsemi Corporation
5SGSMD4K2F40I3LN
Intel
5SGXMABN2F45I3N
Intel
5SGXMB6R2F43C3N
Intel
EP3SE260F1152I4N
Intel
LFEC1E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-8FN672I
Lattice Semiconductor Corporation