Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / R9G02812XX
Herstellerteilenummer | R9G02812XX |
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Zukünftige Teilenummer | FT-R9G02812XX |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
R9G02812XX Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 2800V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1200A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.45V @ 1500A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 25µs |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 150mA @ 2800V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / fall | DO-200AB, B-PUK |
Supplier Device Package | DO-200AB, B-PUK |
Betriebstemperatur - Übergang | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R9G02812XX Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | R9G02812XX-FT |
R4220F
Microsemi Corporation
R4220TS
Microsemi Corporation
R4230F
Microsemi Corporation
R4230TS
Microsemi Corporation
R4240F
Microsemi Corporation
R4240TS
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R4250F
Microsemi Corporation
R4250TS
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R4260F
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R4260TS
Microsemi Corporation
APA450-PQ208I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E2H29I2LN
Intel
5SGXEA4K3F35C4N
Intel
XC5VLX30-3FF324C
Xilinx Inc.
XCV200-5BG256I
Xilinx Inc.
A42MX24-1PLG84M
Microsemi Corporation
M1AGL600V5-FG144I
Microsemi Corporation
EP2AGX95EF29C4N
Intel
EP3SE110F780I3N
Intel
HC20K600BC652
Intel