Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / R9G03012XX
Herstellerteilenummer | R9G03012XX |
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Zukünftige Teilenummer | FT-R9G03012XX |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
R9G03012XX Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 3000V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1200A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.45V @ 1500A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 25µs |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 150mA @ 3000V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / fall | DO-200AA, A-PUK |
Supplier Device Package | DO-200AA, R62 |
Betriebstemperatur - Übergang | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R9G03012XX Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | R9G03012XX-FT |
R4220TS
Microsemi Corporation
R4230F
Microsemi Corporation
R4230TS
Microsemi Corporation
R4240F
Microsemi Corporation
R4240TS
Microsemi Corporation
R4250F
Microsemi Corporation
R4250TS
Microsemi Corporation
R4260F
Microsemi Corporation
R4260TS
Microsemi Corporation
R4280F
Microsemi Corporation
XCS40XL-5PQG208C
Xilinx Inc.
XC7A15T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE3000-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-1VQ100M
Microsemi Corporation
5SGSMD4K3F40I3N
Intel
5SGSED6N2F45C2N
Intel
EP2SGX90EF1152C3ES
Intel
LFE2M100SE-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB7D4F35C4N
Intel