Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / R9G03412XX
Herstellerteilenummer | R9G03412XX |
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Zukünftige Teilenummer | FT-R9G03412XX |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
R9G03412XX Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 3400V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1200A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.45V @ 1500A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 25µs |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 150mA @ 3400V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / fall | DO-200AA, A-PUK |
Supplier Device Package | DO-200AA, R62 |
Betriebstemperatur - Übergang | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R9G03412XX Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | R9G03412XX-FT |
R4230TS
Microsemi Corporation
R4240F
Microsemi Corporation
R4240TS
Microsemi Corporation
R4250F
Microsemi Corporation
R4250TS
Microsemi Corporation
R4260F
Microsemi Corporation
R4260TS
Microsemi Corporation
R4280F
Microsemi Corporation
R4280TS
Microsemi Corporation
R43120
Microsemi Corporation
AGL030V2-QNG68I
Microsemi Corporation
LFXP3C-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP20-7FGG676C
Xilinx Inc.
5CGXBC4C7F27C8N
Intel
EP3SL200F1517I4L
Intel
5SGXMA4H3F35I3N
Intel
A40MX02-2PLG44I
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H4F34I3SG
Intel
5AGXBA1D4F31C4N
Intel