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Herstellerteilenummer | RB886YT2R |
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Zukünftige Teilenummer | FT-RB886YT2R |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
RB886YT2R Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Not For New Designs |
Diodenkonfiguration | 2 Independent |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 15V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 10mA (DC) |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 350mV @ 1mA |
Geschwindigkeit | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 120µA @ 5V |
Betriebstemperatur - Übergang | 125°C (Max) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SC-75-4, SOT-543 |
Supplier Device Package | EMD4 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RB886YT2R Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | RB886YT2R-FT |
81CNQ035S2
SMC Diode Solutions
81CNQ040
SMC Diode Solutions
81CNQ040S2
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83CNQ080S2
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84CNQ035
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84CNQ040
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84CNQ040S2
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XA6SLX75-2FGG484Q
Xilinx Inc.
A3PN125-ZVQG100
Microsemi Corporation
AGLN060V2-ZVQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA4H2F35C2N
Intel
XC7VX550T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
XC7VX690T-L2FFG1157E
Xilinx Inc.
A42MX09-FTQ176
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F35C4N
Intel
EPF6016BI256-3
Intel