Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / RBE05VM20ATE-17
Herstellerteilenummer | RBE05VM20ATE-17 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-RBE05VM20ATE-17 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
RBE05VM20ATE-17 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 20V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 500mA |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 430mV @ 500mA |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 200µA @ 20V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SC-90, SOD-323F |
Supplier Device Package | UMD2 |
Betriebstemperatur - Übergang | 125°C (Max) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RBE05VM20ATE-17 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | RBE05VM20ATE-17-FT |
RBR3L40ATE25
Rohm Semiconductor
RBR5L30ATE25
Rohm Semiconductor
RR2L4SDDTE25
Rohm Semiconductor
RR2L6SDDTE25
Rohm Semiconductor
1SR154-400TE25
Rohm Semiconductor
1SR154-400TE25A
Rohm Semiconductor
1SR154-600TE25
Rohm Semiconductor
1SR156-400TE25
Rohm Semiconductor
1SR159-200TE25
Rohm Semiconductor
RB050L-40TE25
Rohm Semiconductor
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel