Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / RBR3L30BTE25
Herstellerteilenummer | RBR3L30BTE25 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-RBR3L30BTE25 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
RBR3L30BTE25 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Not For New Designs |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 30V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 3A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 530mV @ 3A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 80µA @ 30V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-214AC, SMA |
Supplier Device Package | PMDS |
Betriebstemperatur - Übergang | 150°C (Max) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RBR3L30BTE25 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | RBR3L30BTE25-FT |
RBR1MM40ATFTR
Rohm Semiconductor
RBR2MM30ATFTR
Rohm Semiconductor
RBR2MM40ATFTR
Rohm Semiconductor
RBR2MM40ATR
Rohm Semiconductor
RBR2MM40BTFTR
Rohm Semiconductor
RBR2MM40BTR
Rohm Semiconductor
RBR2MM60ATFTR
Rohm Semiconductor
RBR2MM60ATR
Rohm Semiconductor
RBR2MM60BTFTR
Rohm Semiconductor
RBR2MM60CTR
Rohm Semiconductor
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
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M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
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5SGXEBBR1H43C2L
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XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
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EP1S10F780C6
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EP4SGX110HF35I3
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