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Rohm Semiconductor RCJ081N20TL
- MFG-Teilenummer
- RCJ081N20TL
- verfügbare Anzahl
- 90080 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0.348
- Unser Preis
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Rohm Semiconductor
- Kurze Beschreibung
- - MOSFET N-CH 200V 8A LPT
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- RCJ081N20TL.pdf
RCJ081N20TL Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | RCJ081N20TL |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-RCJ081N20TL |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | - |
| RCJ081N20TL Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 8A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 770 mOhm @ 4A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.25V @ 1mA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 8.5nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 330pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 1.56W (Ta), 40W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Supplier Device Package | LPTS (SC-83) |
| Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| RCJ081N20TL Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | RCJ081N20TL-FT |
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