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Herstellerteilenummer | RCR110DNP-180M |
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Zukünftige Teilenummer | FT-RCR110DNP-180M |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | RCR-110D |
RCR110DNP-180M Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | - |
Material - Kern | Ferrite |
Induktivität | 18µH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 2.61A |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Shielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 39 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | - |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 1kHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | Radial |
Supplier Device Package | - |
Größe / Abmessung | 0.394" Dia (10.00mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.413" (10.50mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RCR110DNP-180M Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | RCR110DNP-180M-FT |
IMC0402ER40NJ01
Vishay Dale
IMC0402ER43NG01
Vishay Dale
IMC0402ER47NJ01
Vishay Dale
IMC0402ER4N3G01
Vishay Dale
IMC0402ER4N3J01
Vishay Dale
IMC0402ER56NG01
Vishay Dale
IMC0402ER56NJ01
Vishay Dale
IMC0402ER5N1J01
Vishay Dale
IMC0402ER5N1K01
Vishay Dale
IMC0402ER5N6J01
Vishay Dale
A54SX16A-2TQG144
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484A
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100I7
Intel
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8
Intel
5SGXEA7H3F35C2N
Intel
5AGXMA5G4F31C4N
Intel