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Rohm Semiconductor RDN080N25FU6

MFG-Teilenummer
RDN080N25FU6
verfügbare Anzahl
90050 Stücke
Referenzpreis
USD 0
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Versanddatum
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Hersteller
Rohm Semiconductor
Kurze Beschreibung
- MOSFET N-CH 250V 8A TO220FN
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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RDN080N25FU6 Spezifikationen

Herstellerteilenummer RDN080N25FU6
Zukünftige Teilenummer FT-RDN080N25FU6
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Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
RDN080N25FU6 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 543pF @ 10V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 35W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Supplier Device Package TO-220FN
Paket / fall TO-220-3 Full Pack
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RDN080N25FU6 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer RDN080N25FU6-FT

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