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Rohm Semiconductor RDX100N60FU6

MFG-Teilenummer
RDX100N60FU6
verfügbare Anzahl
95510 Stücke
Referenzpreis
USD 0
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Rohm Semiconductor
Kurze Beschreibung
- MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FM
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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RDX100N60FU6 Spezifikationen

Herstellerteilenummer RDX100N60FU6
Zukünftige Teilenummer FT-RDX100N60FU6
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
RDX100N60FU6 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 10A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 650 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1600pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 45W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Supplier Device Package TO-220FM
Paket / fall TO-220-3 Full Pack
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RDX100N60FU6 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer RDX100N60FU6-FT

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