Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / RF081M2STR
Herstellerteilenummer | RF081M2STR |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-RF081M2STR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
RF081M2STR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Not For New Designs |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 200V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 800mA |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 800mA |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 25ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 200V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOD-123 |
Supplier Device Package | PMDU |
Betriebstemperatur - Übergang | 150°C (Max) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RF081M2STR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | RF081M2STR-FT |
RBR1MM60ATR
Rohm Semiconductor
RF071MM2STR
Rohm Semiconductor
RR268MM-600TR
Rohm Semiconductor
RB051MM-2YTR
Rohm Semiconductor
RB060MM-60TR
Rohm Semiconductor
RBR2MM30ATR
Rohm Semiconductor
RSX101MM-30TR
Rohm Semiconductor
RB068MM-30TFTR
Rohm Semiconductor
RB068MM-40TFTR
Rohm Semiconductor
RB068MM-60TFTR
Rohm Semiconductor
AX250-2FG484
Microsemi Corporation
M2GL025T-1VF400I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F27C4N
Intel
EP2SGX60EF1152C3N
Intel
LFE2-12SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VBI356-4
Intel
EPF6016QC208-2N
Intel
EP4SGX110FF35C4
Intel